硅片清洗機(jī)物理清洗有三種方法：
?、偎⑾椿虿料?可除去顆粒污染和大多數(shù)粘在片子上的薄膜。
②高壓清洗：是用液體噴射片子表面，噴嘴的壓力高達(dá)幾百個(gè)大氣壓。高壓清洗靠噴射作用，片子不易產(chǎn)生劃痕和損傷。但高壓噴射會(huì)產(chǎn)生靜電作用，靠調(diào)節(jié)噴嘴到片子的距離、角度或加入防靜電劑加以避免。
③超聲波清洗：超聲波聲能傳入溶液,靠氣蝕作用洗掉片子上的污染。但是,從有圖形的片子上除去小于 1微米顆粒則比較困難。將頻率提高到超高頻頻段，清洗效果更好。
硅片清洗機(jī)發(fā)展展望：
伴隨著硅片的大直徑化,器件結(jié)構(gòu)的超微小化、高集成化,對(duì)硅片的潔凈程度、表面的化學(xué)態(tài)、微粗糙度、氧化膜厚度等表面狀態(tài)的要求越來(lái)越高。
同時(shí),要求用更經(jīng)濟(jì)的、給環(huán)境帶來(lái)更少污染的工藝獲得更高性能的硅片。高集成化的器件要求硅片清洗要盡量減少給硅片表面帶來(lái)的破壞和損傷,盡量減少溶液本身或工藝過(guò)程中帶來(lái)的沾污。
硅片清洗機(jī)正向著小型化、非盒式化及一次完成化(所有清洗與干燥步驟在一個(gè)槽內(nèi)進(jìn)行)方向發(fā)展,以減少工藝過(guò)程中帶來(lái)的沾污,滿足深亞微米級(jí)器件工藝的要求。這無(wú)論對(duì)清洗工藝還是對(duì)清洗設(shè)備都是一個(gè)極大的挑戰(zhàn),傳統(tǒng)的清洗方法已不能滿足要求。
臭氧水、兆聲波、電解離子水等的應(yīng)用顯示出很好的去除硅片表面顆粒和金屬沾污的能力,對(duì)硅片表面微觀態(tài)的影響很小。而且,它們的使用使清洗設(shè)備小型化及清洗工藝一次完成化的實(shí)現(xiàn)成為可能。
同時(shí),它們對(duì)環(huán)境的低污染度也是傳統(tǒng)的清洗溶液所不能比擬的。在未來(lái)的清洗工藝中它們可能會(huì)被廣泛地應(yīng)用。
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更新時(shí)間：2018-01-24 
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