飛行時間二次離子質(zhì)譜 （TOF-SIMS） 是一種表面分析技術(shù)，它將脈沖一次離子束聚焦到樣品表面，在濺射過程中產(chǎn)生二次離子。分析這些二次離子可提供有關(guān)樣品表面的分子、無機和元素種類的信息。

例如，如果表面吸附了有機污染物（如油），TOF-SIMS將揭示這些信息，而其他技術(shù)則難以實現(xiàn)，特別是在污染物含量極低的情況下。由于TOF-SIMS是一種測量技術(shù)，因此通?？梢詸z測到元素周期表中的所有元素，包括H。

此外，這種分析可以提供質(zhì)譜信息;樣品上XY維度的圖像信息;以及Z 方向的深度剖面信息到樣品中。

工作原理
飛行時間二次離子質(zhì)譜法 （TOF-SIMS），又稱靜態(tài) SIMS，是一種廣泛用于表征表面和表面污染物的技術(shù)。它與動態(tài)SIMS密切相關(guān)，動態(tài)SIMS使用恒定的初級離子束在幾分鐘內(nèi)蝕刻樣品以形成濺射坑。相比之下，TOF-SIMS使用脈沖離子束，在分析時間尺度上不會顯著濺射、蝕刻或損壞樣品表面。這種無損傷使該技術(shù)成為分析表面存在元素（元素周期表中的大多數(shù)元素）和分子種類的理想技術(shù)，具有非常淺的采樣深度（1-2nm）。結(jié)合飛行時間質(zhì)譜儀，該技術(shù)提供了出色的測量能力，靈敏度在百萬分之一 (ppm)范圍內(nèi)。TOF-SIMS儀器中使用一次離子束（通常69Ga 或197Au）可以聚焦到亞微米尺寸，這意味著該技術(shù)可用于分析1μm至500μm范圍內(nèi)的特征。無論導電樣品還是絕緣樣品都可以成功分析。

飛行時間二次離子質(zhì)譜法（TOF-SIMS）的工作原理是將聚焦的一次離子脈沖光柵束光化到感興趣的區(qū)域，從而產(chǎn)生與樣品表面前幾層材料特性相關(guān)的二級離子。通過準確測量檢測到的離子質(zhì)量，可以識別并確定樣品表面存在的化學物質(zhì)。獲得的數(shù)據(jù)可以以質(zhì)譜的形式或特定物質(zhì)的離子圖像的形式呈現(xiàn)。如果結(jié)合離子濺射（使用相同的一次離子槍或額外的 Cs、O 或 Ar 團簇離子束），也可以獲得深度剖面圖。

表面靈敏度
TOF-SIMS的高表面靈敏度使其成為解決問題的良好起點，可以對樣品中存在的物質(zhì)類型進行概述。然后可以使用其他技術(shù)來獲取其他信息。TOF-SIMS還可以檢測到比傳統(tǒng)表面分析技術(shù)（如XPS和Auger）低得多的物質(zhì)水平。

TOF-SIMS的數(shù)據(jù)集可能非常復雜，并且可能比其他方法需要更多的解釋或數(shù)據(jù)處理。TOF-SIMS的成像能力可以提供微米級的缺陷和顆粒的元素和分子信息。TOF-SIMS也可用于深度剖析，并與動態(tài)SIMS互補。剖面分析的優(yōu)勢在于其小面積的處理能力，以及無需選擇特定元素即可進行全面深度剖面分析的能力。簇離子束使有機材料的剖面分析成為可能，同時保持結(jié)構(gòu)上的重要信息。

使用TOF-SIMS可以進行質(zhì)量控制，故障分析，故障排除，過程監(jiān)控和研發(fā)。例如，我們在調(diào)查晶圓表面污染問題時提供的信息可以幫助確定問題的具體來源，例如泵油或組件脫氣，或者可能表明晶圓加工步驟本身存在問題（例如蝕刻殘留）。

TOF-SIMS是SMART圖譜的一部分，是一種對表面非常敏感的技術(shù)，可提供全面的元素和分子分析，具有出色的檢測限

典型數(shù)據(jù)

氟碳膜顯示硅污染                                               清潔全氟碳膜，不含硅

污染硅晶圓上鐵（Fe）的高質(zhì)量分辨率光譜與清潔硅晶圓的比較         平板顯示器上殘留物的TOF-SIMS離子圖像（150微米視野）

TOF-SIMS的理想用途
其出色的表面靈敏度、分析有機材料和其他絕緣體的能力、極低的檢測限以及提供元素和分子信息的能力，使TOF-SIMS成為解決以下類型應(yīng)用的理想技術(shù)：
有機和無機材料的表面分析
有機材料和元素材料的表面特性分析
表面物質(zhì)的橫向分布圖繪制
元素或分子物質(zhì)的污染識別（ppm范圍內(nèi)）
晶圓上表面金屬的定量分析
粘附、焊墊、涂層等的失效分析
清潔過程評估 （QA/QC）
識別污漬、變色和霧霾
加工前后表面的對比以識別差異
在不同環(huán)境中加工或存儲的樣品之間的表面變化比較 表面元素和分子的成像
剝離、起泡、脫濕、污漬、霧等的失效和根本原因分析
調(diào)查深度剖析

TOF-SIMS的優(yōu)勢
表面靈敏：前幾個單層
ppm 范圍內(nèi)的檢測限
調(diào)查分析
調(diào)查深度剖面圖
元素和分子信息
可分析絕緣體和導體
成像模式下可實現(xiàn)亞微米級的空間分辨率
某些應(yīng)用中可獲得主要元素組成  

TOF-SIMS的局限性
定量需要大量的校準數(shù)據(jù)，難度較大
對表面敏感，因此樣品處理/包裝時要小心謹慎
樣品必須與真空兼容 數(shù)據(jù)集可能很復雜

技術(shù)比較
其他具有相似分析深度或應(yīng)用的表面分析工具包括 X 射線光電子能譜 (XPS)、俄歇電子能譜(AES) 和傅里葉變換紅外光譜（FTIR）。XPS提供定量濃度和化學鍵信息，這些信息通常無法直接使用TOF-SIMS獲得。AES可以為元素種類提供更好的空間分辨率圖像，但靈敏度較差。FTIR可以提供互補的有機信息，具有更深的信息深度和訪問商業(yè)光譜庫的能力。這可能使FTIR成為識別宏觀材料量的更好選擇，因為特殊表面信息可能并非首要關(guān)注點。

那諾中國提供的TOF-SIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀（型號：SurfaceSeer I）具有高空間分辨率成像能力，可用于

絕緣、導電表面的成像分析與化學成分分析。SurfaceSeer I 是研究表面化學的理想選擇，適用于 研發(fā)和工業(yè)質(zhì)量控制應(yīng)用。

TOF-SIMS技術(shù)規(guī)格
信號檢測：元素離子和分子離子
檢測元素：覆蓋整個元素周期表，以及分子種類
檢測限：單分子層的幾分之一，107至1010at/cm2（金屬在半導體上），深度剖面中體積濃度低至 1 ppm
深度分辨率：1-3 個單層（靜態(tài)模式），低至 1 nm（深度剖析）
信息深度：低于 1 nm（靜態(tài)模式）， 10 μm（深度剖析）
成像/映射：是
橫向分辨率/探頭尺寸：低至 0.2 μm